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CST仿真屏蔽效能问题

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经常看到有人在仿屏蔽效能的时候,是用MWS或MS,通过加平面波激励,然后利用有屏蔽和无屏蔽两种情况下的某点场强来得到SE。

这里我有几个想法和疑问,求各位批评指教
1 屏蔽效能应该是既能反映屏蔽壳对内部干扰的屏蔽效果,又能体现对外部干扰的阻碍效果。
比如我要考虑机壳对内部辐射向外发射的屏蔽效果,那这时候我由CST的这种从外部加平面波激励,从内部接受而得到屏蔽效能结果是否还有效呢?

2 但屏蔽壳体积较小,即内部干扰源离屏蔽壳很近,外部接收天线离干扰源很远的时候,对机壳来说,在不同频段,既存在于近场区中,又存在于远场去中。对于近场区的屏蔽效果怎样衡量呢?

3 从不同位置,不同方向激励和接收,得到的屏蔽效能值是不同的。那箱体的屏蔽效能到底是指的什么情况下得到的值呢…

头脑混乱中…求指教…

 

1、电磁场的互易定理,发射等同于接受,屏蔽外来干扰就能阻隔内部对外干扰
2、在内部干扰源位置设置探针,仿真出来的屏蔽效能是多少就是多少
3、不同位置不同方向的照射,我的理解应该是找其中最差的屏蔽效能作为机箱的屏蔽效能

 

我想通过CST仿真得到机箱的有关时间的腔体效应,应该怎么操作,(选取了电磁脉冲从孔缝耦合开始的前5ns的时间)求指教

 

关于时间的监视器,就是设置瞬态监视器
另:探针结果中有时域信号

 

,有大师指教一二不?我都愁死了

 

你要仿什么?屏蔽效能还有什么不清楚的么

 


感谢回复…
小弟电磁场基础薄弱……不懂电磁场的互易定理…不过我觉得从屏蔽体内部看,如果屏蔽体位于干扰源的近场区,而仿真时的外加激励是平面波,这相当于是屏蔽体位于干扰源的远场区…这样的情况还是符合互易定理么…

 

互易就是说,仿真电磁波向外辐射时箱体的屏蔽效能,和仿真电磁波照射箱体时的屏蔽性能,这两种情况得到的屏蔽性能应该是相等的

 


你说的这意思我明白…那也应该是在内外都是相同种类的激励下吧? 近场区,不管是电偶极子还是磁偶极子,电场的分量都和远场区不同啊…

 

楼主和一楼都是高手啊

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