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RFMD 推出两款新型电压控制衰减器以扩展其业界领先的普通产品目录
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北卡罗来纳州、Greensboro，2011 年 6 月 2 日 —— 日前，高性能射频组件以及复合半导体技术设计和制造领域的全球领导者 RF Micro Devices, Inc.（Nasdaq GS 股市代号：RFMD）宣布推出两款新型电压控制衰减器 RFSA2013 和 RFSA2023。分别通过 5V 和 3V 电源运行的这两款新型 VCA 组件覆盖了 50 至 4000MHz 的带宽频率范围，可满足最终产品市场中的众多应用。
这些完全为单片的 VCA 具有出色的线性，其三阶交调截取点在 30dB 增益控制范围内超过 50dBm。这些器件结合了创新的电路架构，该架构可提供业界领先的线性性能、衰减范围、直流电流与带宽，以及线性衰减与控制电压曲线。这些 VCA 还采用内部温度补偿，可在 -40 至 +85C 的工作温度范围内提供稳定的衰减曲线。
同类竞争 VCA 一般使用 PIN 二极管，具有较差的温度衰减，以及非线性衰减与控制电压曲线。为修正性能缺陷，这些竞争 VCA 需要进一步的芯片外校准和修正电路，这会占用宝贵的板面空间，增加成本，并且需要额外直流电源。 相比之下，RFMD 的创新产品可为客户提供采用 3mm x 3mm QFN 小型封装的全面单片解决方案。
RFMD 将在 6 月 6-8 日在巴尔的摩会议中心举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会第 1402 号展台上展出上述组件。
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