飞思卡尔进军GaAs MMIC市场，四款新产品先行

飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）日前宣布，将涉足面向无线通信基站的GaAs MMIC（monolithic microwave integrated circuit）市场。此前，该公司虽一直从事采用硅材料的LDMOS功率晶体管等业务，并没有投产GaAs MMIC。不过，该公司是从初期就从事GaAs技术开发的企业之一，拥有多项GaAs材料相关专利。此次，该公司决定利用这些技术，涉足面向无线通信基站等的高性能GaAs MMIC市场。

首先投产的产品共有4款。其中一款是采用基于GaAs材料的增强模式pHEMT的低噪声放大器（LNA）MMIC“MML09211H”。支持的带宽为400M～1.4GHz，噪声指数（NF）为0.6dB，增益为20dB（900MHz时），1dB压缩点（P1dB）为21dBm，三阶输出拦截点（IP3）为32dB。

还有一款是采用基于InGaP材料的异质结双极型晶体管（HBT）的功率放大器MMIC“MMA20312B”。该产品为两段式功率放大器，支持的带宽为1.8G～2.2GHz。增益为26dB。P1dB为31dBm（2.14GHz时）。

其余两款产品分别为驱动放大器MMIC“MMG15241H”及低噪声放大器MMIC“MMG20271H”。MMG15241H支持500M～2.8GHz的带宽，噪声指数为1.6dB，增益为15dB。MMG20271H支持1.5G～2.4GHz的带宽，噪声指数为1.8dB，增益为15dB。

4款产品均从2010年6月开始面向特定用户样品供货，2010年8月开始面向普通用户样品供货。价格尚未公开。