RFMD推出一系列GaN高电子迁移率高功率晶体管

       RFMD(RF Micro Devices)近日推出氮化镓(GaN)高电子迁移率(HEMT)高功率晶体管系列，并且正在针对顶级无线基础设施及WiMAX基站客户进行送样。这些晶体管的送样代表了RFMD在0.5μm线度GaN高功率晶体管工艺方面取得的成就。

      在UMTS方面，这些高功率器件展示了高达67%的出色峰值漏极效率，而在WiMAX频带方面，这些器件展示了高达60%的峰值漏极效率。RFMD已实现了16dB的高增益、在28V时高达4W/mm的高功率密度，以及1000小时的高温度可靠性结果。

      面向无线蜂窝市场的RFMD GaN HEMT晶体管主要针对UMTS或3G基站市场细分，这些产品包括RF3820(8W)、RF3912(60W)、RF3913(90W)及RF3914(120W)。针对新兴WiMAX基站市场细分的RFMD GaN HEMT晶体管包括2.5GHz RF3916(50W)、RF3917(75W)、RF3918(100W)及3.5GHz RF3821(8W)、RF3919(50W)。