关于管子的叉指数m

用HSPCIE仿真，网表
w=20um  l=2um   
与
w＝5um  l＝2um  m＝4
这两种表达仿真结果是不是一样的?版图上做出来的w肯定是不相等的。仿真的时候会不会考虑由于氧化层侵蚀导致的每条叉指的w变小一些?

用finger或许会更好些把^_^，请前辈指教

仿真的时候应该是等效的

会有点不一样。
我之前用tsmc .35做过，稍微有点不一样。

it differs from layout type.
if you use figure, you mean to use source/drain sharing.
if you use multiple, it is not  to use sharing.
it is equal in low freauency design.
but if it is used in RF design.
it differs a lot....

牛人才

在65nm下,三者肯定是不一样的,不管高频还是dc

当然不一样了，w=20和w=5的管子的vth是有才差别的。

电路仿真的阈值电压可能不同
电路仿真的阈值电压可能不同体效应也不一样

中的。

can u telll us, how to deal with this problem?
if the 'w' & 'l' is determined , how to make sure the 'figure'?

当然不一样了，M=1和M=N的画法layout不一样，寄生效应就不一样，而且管子的VTH也不一样，对数字电路来说没有什么区别，对ANALOG来说区别大了。还有要分清楚M和F的区别。

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