请问不同工艺角下如何调整让电路性能一致
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正做一个运放，在tt下已经调出性能了，不过做工艺角仿真的时候发现性能相差挺大的，不满足要求。请问大家都是怎么来解决工艺角带来的漂移这些问题的呢?谢谢哦！
那只有重新设计参数了，在设计参数时，要尽量留有余量
还有可以用trim的方法
电路设计裕量小，重新调
1. ratio design
2. redesign with different architecture like folded-cascode...etc.
3. usually a MOS with its length near the minimum, it may demonstrate a larger Vt variation under different corners. You may review this point by checking the second-order approximation of MOS current.
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