IR推出商用氮化镓集成功率级器件

国际整流器公司 (IR)  推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。崭新的iP2010和iP2011系列器件是为多相和负载点 (POL) 应用设计的，包括服务器、路由器、交换机，以及通用POL DC-DC转换器。

iP2010和iP2011集成了非常先进的超快速PowIRtune驱动器IC，并匹配一个多开关单片氮化镓功率器件。这些器件贴装在一个倒装芯片封装平台上，可带来比最先进的硅集成功率级器件更高的效率和超出双倍的开关频率。

iP2010的输入电压范围为7V至13.2V，输出电压范围则为0.6V至5.5V，输出电流高达30A。这个器件最高运行频率为3MHz。在5MHz运行时，与iP2010引脚兼容的iP2011备有相同的输入和输出电压范围，但后者经过优化，从而使最高输出电流高达20A。通过以通用占位面积提供多种电流额定值器件，IR提供的灵活性能够满足不同客户对电流水平、性能和成本的要求。

这两种器件采用细小占位面积的LGA封装，为极低的功率损耗作出了优化，并提供高效率的双面冷却功能，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)  。

iP2010产品规格

产品编号
  
封装  
Vin范围 (V)  
Vout范围 (V)  
最大Iout (A)  
开关频率范围 (kHz) iP2010TRPBF
  
7.7 x 6.5mm  LGA  
7-13.2  
0.6-5.5  
30  
250-3,000
iP2011产品规格

产品编号
  
封装  
Vin范围 (V)  
Vout范围 (V)  
最大Iout (A)  
开关频率范围 (kHz) iP2011TRPBF
  
7.7 x 6.5mm  LGA  
7-13.2  
0.6-5.5  
20
250-5,000
单页的数据表已刊登在IR的网站 www.irf.com。IR也会向合格客户提供完整的数据表、演示板和样品。

GaNpowIR是一种革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台，与最先进的硅技术平台相比，能够改善客户主要特定应用的性能指数 (FOM) 高达10倍，可以显著提高性能并节省能源消耗，目标市场包括计算和通信、汽车和家电等的终端应用。这款氮化镓功率器件技术平台是IR经过5年的时间，基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果。高生产量的150mm硅上氮化镓外延以及相关的器件制造工艺，完全符合IR具备成本效益的硅制造设施，可为客户提供世界级的商业可行的氮化镓功率器件制造平台。欲获取更多资料，请浏览 http://www.irf.com/product-info/powir。