射频PA+FEM导杂散差的原因分析

问题：射频 PA+FEM 加上屏蔽罩的传导杂散更差（DCS 的二三次谐波），不知是何原因，请赐教！

可能原因三个 :

1. 匹配组件受 Shielding Cover 影响 以至于阻抗偏了
如下图 :

若 Shielding Cover 跟匹配组件太近 其寄生效应改变其电感或电容值

以至于阻抗改变 那当然传导谐波变大

尤其是早期 0402 组件更容易这样 但现在 0201 组件很少会这样了

2. RF 讯号泄漏到 PA 的 Vcc
当你盖上屏蔽罩时 PA 会把 RF 讯号 辐射或耦合到屏蔽罩上方

也就是说 屏蔽罩上方 会有残留的 TX 讯号

若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的 TX 讯号 会通通流到 GND

若屏蔽罩接地良好 那么这些残留的 TX 讯号

一部分流到 GND 一部分会再反射

若反射的 TX 讯号 打到 PA 的 Vcc 那当然 TX 性能就劣化

3. 屏蔽罩跟 PA 离太近 之间的寄生效应 改变了 PA 特性
验证方式 :

第一种现在很少见了 所以就不提

第二种的话 可以这样验证 如下图：

因为你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好

因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式

其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差

那凶手就可能是来自这原因

值得注意的是 那个 DC Block 要加

避免 Vcc 的直流电源 回灌到 PA 或 CMW500

第三种的话 在没加屏蔽罩状况下

在 PA 上方先贴个胶带 再随便放个金属片

一样 你说没加屏蔽罩时 其传导杂散会比较好

因此 如果在没加屏蔽罩状况下 你用这种方式

若其传导杂散变得跟加了屏蔽罩时一样差

那凶手就可能是来自这原因

解决方案：
第一种现在很少见了 所以就不提

第二种的话

因为凶手是来自 RF 讯号灌入 Vcc 所以你在 Vcc 那边

摆放一个落地电容 让灌入 Vcc 的 RF 讯号流到 GND

既然你主频是 DCS 以 0201 的电容来讲 你就放个 18 pF

第三种只能改结构

要嘛把屏蔽罩跟 PA 之间距离拉大

不然就是 PA 上方直接开天窗