RF MEMS技术将提升手机天线的性能并且节约成本

（文章来源：通信网）

随着业界对RF技术要求的提升，Qualcomm、联发科等芯片大厂开始积极强化RF方案，高通更率先推出业界首款CMOS功率放大器(PA)，以改善RF 性能与成本。由于芯片厂商的RF方案优势在于处理器端的信号增强与噪声消除，对优化RF天线尺寸与传输功耗的效果依然非常有限， 业界开始关注采用 MEMS技术工艺的RF产品。

RF MEMS是近年来MEMS领域的研究热点，其基于机械式谐振结构，只要改变内部隔板距离就能使电容流量产生变化，可免除外部电容与开关等零组件，减轻天线 总体功耗与体积；此外，其具备可编程能力，可支持软件无线电（SDR）功能，并实现天线频率调整、可调式阻抗匹配等控制方案，协助简化RF前端模块 (FEM)设计、增强信号接收性能、带宽及减少天线数量。由此实现射频系统的片内高集成，消除由分立元件带来的寄生损耗，真正做到系统的高内聚，低耦合， 能显著提高系统的性能。

射频微机电系统(MEMS)设计和制造厂商Cavendish Kinetics总裁Dennis Yost表示，随着智能型手机频段的持续增加，如何提升RF天线性能，且不影响系统占用空间与耗电量表现，已成为RF器件和手机厂商的产品发展重点，由此 带动新一轮RF技术革命，这为在尺寸和性能都表现优异的RF MEMS技术带来新的机会。

Yost进一步介绍，采用Cavendish KineTIcs RF MEMS持术的LTE手机可望于近期陆续推出，目前Cavendish KineTIcs正与多家手机制造商紧密合作，初期将锁定高端LTE多频多模手机应用，待逐步达到量产经济规模后，再挺进中低端手机市场。

RF MEMS技术将快速发展，包括RF前端模块的功率放大器、滤波器(Filter)和双工器(Duplexer)均可动态调整，进而达成更高效率；另外，由 于RF MEMS兼容CMOS工艺并支持数字界面，未来可能与逻辑芯片进一步结合，实现更高整合度的手机系统解决方案。 同时RF MEMS因减少周边器件用量，整体物料清单(BOM)成本反而比传统RF设计更低，而且在各种LTE频段中平均能提高35%传输效率，RF MEMS将成为未来5～10年手机设计中的关键技术之一。
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