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DDR、SDRAM 布局 、走线流程

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之前画pcb DDR到CPU这部分都是reuse方案商的,不需要做什么更改,现在需要自己走线,头脑中还没有一个概念,上网搜索了下,涉及到信号完整性问题(需要确定两颗DDR走什么样的拓扑,用Hynix做仿真,计算信号线大概长度;要分组走线,同组的线走等长,不同组的不要求等长)这方面的知识还没有一个宏观概念,请大家指点布局、走线流程。
从原理图的制作到PCB结束,DDR到CPU这部分要做哪些工作。越详细越好啊!

自己顶一个

给你顶顶

没有人理啊

幫你頂頂,我也想知道

坐等。

顶一个

帮忙顶

高手不进来,或进来只看,不说

如果是两片DDR那么相对于CPU应该对称放置,中心距最好在1000-1400mil之间。DDRI,DDRII是走远端分支的拓扑结构,地址公用,采用T点的走线方式,数据线是点到点的,没10/11根(D0-D8,DQM,DQS+/_)同层,等长参照时钟的走线长度做,50/25(DDRII)mil,DDR走线区域其他信号线不应进入,保持DDR走线区域的参考面完整。参考电压VEF走线宽度最少20mil

数据线的长度应比地址线短《1000mil

谢谢指教,请问这是经验值还是仿真出来的值?能将DDR走线从原理图到PCB设计完成一个完整的流程说一遍吗?直说DDR到CPU部分即可。

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