HFSS仿真并联电容式RF-MEMS开关中遇到问题
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我所仿真的例子是东南大学黄庆安老师所翻译的那本书（RF MEMS 理论设计技术）上的。
例子的剖面图如下：
仿真开关图如下：
上图仿真的是开关在“up”态时的情况，并联电容式开关此时是通的，采用的端口是lump port， 外面的空气层都画了，图中隐去了，辐射边界也有。按照书上的性能指标，5-40GHz时，插入损耗应该在0.02-0.8db,而我仿出的插入损耗S21的值是几十个db，太大了，按道理此时的插入损耗是不可能这么大的，肯定是哪里错了。我仿真的插入损耗结果如下图所示：
我仿真的例子也在上面，麻烦懂得同志指点一二，不胜感激！
另外，我把CPW上面的条带拿掉，单独测试3根条带，得到的S21也是几十个db，我感觉CPW上可能就有问题，但是始终找不出来。
另外这个端口如果用wave port应该怎么画？
希望懂得同志能帮我指出错误。谢谢！
例子的剖面图如下：
仿真开关图如下：
上图仿真的是开关在“up”态时的情况，并联电容式开关此时是通的，采用的端口是lump port， 外面的空气层都画了，图中隐去了，辐射边界也有。按照书上的性能指标，5-40GHz时，插入损耗应该在0.02-0.8db,而我仿出的插入损耗S21的值是几十个db，太大了，按道理此时的插入损耗是不可能这么大的，肯定是哪里错了。我仿真的插入损耗结果如下图所示：
我仿真的例子也在上面，麻烦懂得同志指点一二，不胜感激！
另外，我把CPW上面的条带拿掉，单独测试3根条带，得到的S21也是几十个db，我感觉CPW上可能就有问题，但是始终找不出来。
另外这个端口如果用wave port应该怎么画？
希望懂得同志能帮我指出错误。谢谢！
为什么看不到你的lumped port?
下图为lumped port1的图，相应的在另一侧是lumped port2的图。
很抱歉隔了这么长时间才回复，因为下面要写毕业论文了，东西才开始做，希望z3大哥以及其他的高手能指点指点，多谢了！
哪位做过这个的能给点建议啊。。为什么结果是反的了？
不能沉啊不能沉！
没人给点建议吗
端口设置得不对，还有电容式开关上面应该建立空气或者其他气体的散射场，而且高度应该跟衬底存在定的比例关系，好好看看HFSS仿真建模的要求，应该可以搞定。
恩，谢谢。这几天认真看了看，原来的确实不对，应该先设置好CPW，然后再加上开关悬梁。所以重新设计了CPW，采用了wave port，希望这次能搞定
不错，学习了
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习由易迪拓培训专家讲授的HFSS视频培训教程。
