HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件

HFSS使用WAVE PORT的时候端口所在面应该使用什么边界条件？ 因为之前尝试使用LUMPER PORT端口，辐射边界是包围电路的air腔体 在使用WAVE PORT，腔体也使用辐射边界的时候得出的S参数跟LUMPER PORT的S参数差异不小 请问使用WAVE PORT的时候端口所在面是否应该使用辐射边界？这种差异是因为所在端口处的辐射效应引起的吗？这样的结果是否是准确的 因为看hfss的一个full book里面的一个via模型，也是按WAVE PORT设置的，电路板的边界与空气腔体全接触，使用的也是辐射边界  
 
另外，好像是有PML边界的时候不允许使用端口所在面 它跟辐射边界有什么区别么？  
 
希望有经验的朋友指点指点，一直比较困惑  

网友回复:

哈哈，别怪我捣乱，我是来顶贴的，我也想知道这个问题，呵呵

网友回复:

“wave port是以平面能量來計算，lump port是以V/I來計算，理論上兩者可以得到同樣的S-parameter模擬結果。” 
 
有介绍是这么说的，但如果存在差异问题可能在哪里呢？

网友回复:

我也遇到了同样的问题，仿真了一个30GHz的带通滤波器，使用波端口时仿真结果比较好，但是加了集总端口时效果变差了，不知道是什么原因？！请各位大虾指点迷津啊！

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业帮助，请咨询本站专家，并推荐学习李明洋老师的HFSS视频培训课程。

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