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基于cmos工艺的混频器电路设计，ADS仿真
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要求：下变频混频器，输入射频频率f=2.492ghz输入本振频率f=2.504ghz输入中频频率f=12mhz转换电压增益cg>10db(可放到5db-10db).单边带噪声系数nf<15db,线性度iip3>10dbm(可放宽到5dbm-10dbm),最大工作电流i=10ma,电源电压v=5v
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