请教：不同工艺下最基本MOSFET的Cadence layout
录入：edatop.com 阅读：
我刚刚开始学习Cadence layout，很多地方不太明白，恳请指教。
比如最基本的怎么画一个MOSFET，
有的资料用0.25u工艺，画layout的顺序是：NWELL layer, DIFF layer, poly layer, PIMP layer, NIMP layer, CONT layer, metal layer。
有的资料用0.5u工艺，画layout的顺序是：pselect layer, active layer, poly layer, CONT layer, metal layer。
为什么同样的MOSFET，不同的画法?
另外问几个基本的问题：画一个MOSFET，沟道、金属、poly的长短粗细怎么确定呢?via、cont的大小怎么确定呢?W/L怎么体现出来呢?谢谢！
比如最基本的怎么画一个MOSFET，
有的资料用0.25u工艺，画layout的顺序是：NWELL layer, DIFF layer, poly layer, PIMP layer, NIMP layer, CONT layer, metal layer。
有的资料用0.5u工艺，画layout的顺序是：pselect layer, active layer, poly layer, CONT layer, metal layer。
为什么同样的MOSFET，不同的画法?
另外问几个基本的问题：画一个MOSFET，沟道、金属、poly的长短粗细怎么确定呢?via、cont的大小怎么确定呢?W/L怎么体现出来呢?谢谢！
你说的是那些是连接顺序吧
具体的你去看drc.com和lvs.com文件，
画法规则看各种工艺的desugn rule。
最直接的办法是导入该工艺的standcell库，就可以看到各种基本单元的画法了。
看PDK吧！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：如何实现5V到130V的放大？请教！
下一篇：ewb线路仿真中的一个问题求教！
