请教下：MOS管的衬底这么接是什么意思呢？

   请教各位，一般来说,NMOS管的衬底是接地的，而PMOS管的衬底是接Vdd的。可是我看到有些电路里面，比如说是运放，一个图里面有些管子是按照上面这些规则来接的，可是还有些管子的衬底是直接就接在源极上的（这个源极没有与地或是Vdd相连），这有什么影响呢?两者有什么区别呢?谢谢了！

阈值电压，寄生电容不一样，这是很基本的问题，你找本模拟集成电路书，或者半导体器件书都有说的

为了减小衬偏效应吧，好好看看Razavi

原装手机监,听器,窃,听器材系列.北京手机监,听器,美国手机窃，听器

有利于匹配, 减小vt等等
看一下razavi

谢谢各位的解答

为什么说“单独做阱”呢?一般而言PMOS本身就是做在N阱中的，这和衬底的接法没啥关系吧

要有两个nwell 啊。一个是连vdd bulk 得，另外一个连source 得

说的是差分对管本来share1个n-well。如果连接到source的话就要用两个n-well。

为了减小衬偏

减小VTH

减小衬偏

另外请注意PBTI 和NBTI.

谢谢各位

学习中。

N阱工艺里用来减小P管的衬偏效应。（单N阱工艺中，NMOS的衬底总是P sub，所以不存在可以减小衬偏的说法）典型的应用是运放的输入差分对。

双阱工艺的话，你接地接源都行！
P阱工艺的话，PMOS接高电位、源都行，NMOS只能接地
N阱工艺的话，NMOS接地、源都行，PMOS只能接高电位

需要深N井工艺支持.可以减少衬偏效应

芯片shizheyangde

你所講的是Body effect......
一般是PMOS接VDD，NMOS接地

消除衬偏效应

谢谢小编的分享了！

18# kyoabc

18# kyoabc
不对吧. 只有N井,\所有NMOS衬底共用,接地. 所以源不是最低电位的怎么能接衬底呢

还是找一本analog 的书好好看看吧

好好看看工艺，看看Deep nwell的作用是什么，有Deep Nwell的存在，NMOS的Bulk端可以独立于衬底，有自己单独的点位。

为什么会增强匹配?

同时减小电源噪声对差分对的影响

打车问一下：P管输入对的衬底到底接在VDD还是源级,什么时候接在源级，什么时候接在VDD，为什么?分别有什么优缺点?（菜鸟提问！）

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