bandgap提高精度

M＝8试一试?

不好意思   那个图是随便找的   M就等于8

顶起来

这种结构应该可以做到很高的精度啊

没有二级补偿这已经是最优化和最高的了。不过一些参数有问题，电阻如何做的比例更好
目前的电阻值好像很难

电流和精度有关系吗  做过的  指点一下

个人感觉，增大电阻应该会很有效，差不多现在的10倍差不多，
现在的BGR消耗电流也大了点
我曾经设计过一个,流过PNP的电流取成1uA

不好意思，你的电流已经是1uA了
这种结构的温度特性是可以做的很好的，仿真几乎可以达到电压随温度变化只有1mV
pnp1：8合适，看TC曲线对称，说明电阻比率也应该合理，那就只能看运放

普通的N输入的两级运放   失调电压怎么减小?  有这方面的资料吗?

在该结构中，  辅助运放的正负端连接方式可以交换吗?

这种结构运放不要用NMOS输入，输入动态范围不对
正负端不能反接，否则会变正反馈，运放输出到地

为什么N输入动态范围不对?
具体讲讲 我就是用N输入  也见过N输入的

就是NMOS阈值电压加尾电流VDS之和比较高，而三极管的VBE只0.7V左右，不足以使N管导通

N输入也同样可以做到   
放大器现在不是问题  
除了放大器之外如何提高精度?

用 p 吧
別頂嘴了...

在臨界導通下 你肯定 op 還有 gain 嗎?
我看過 n 的
但 bjt 的 b 端 不會接地~

可以使用开关的方法让运放在一定的周期内+端与-端翻转，实现offset补偿的功能

N,P不是问题吧。现在的工艺和技术

Layout 可以做的match性能好点儿

学习中,大家努力

就目前的仿真图来看应该不是最好的，有10mV的偏差，个人觉得可能是本身pn结的负温度系数较大，不是书上说的－1.5mv/k，当负温度系数大后补偿的正温度系数也大，这样虽然得到在室温下的零温度系数，但整个温度范围的偏差还是大，可以扫扫pn结的负温度系数。还可以使用发射极面积较小的晶体管试试

提高电阻匹配度，降低opa的offset，（可以使用chopper技术），可以的话trimming一下。

ddddddddddddddddd

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