关于esd的一个问题！
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我刚看到esd这方面的资料，上面说的不是很清楚！不是很明白下面这个期间怎么就可以完成静电泄放呢?高手给解释一下了！谢谢！
这是一个背靠背的齐纳二极管，其击穿电压比一般的反向二极管低，大概在10V左右
而且这种器件在CMOS工艺中不好实现
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