求教：关于Ids电流公式计算和仿真的问题
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一个nmos
Vgs=1.2v
Vgs-Vthn=0.55v < Vds=0.75v 所以这个nmos管是工作在饱和区的 根据公式 1/2×u×Cox×W/L×(Vgs-Vthn)的平方 如果考虑沟道长度调制效应还要乘以一个系数。 现在W/L=22 kn= u×Cox=80 根据公式计算这个nmos管子的Ids应该等于220uA 但是通过仿真出来的 结果是930nA
请大家帮忙看下
大家帮忙看下
body有偏压吗?
最好再给详细一点
衬底接地
--- Operating Point ---
V(n002): 1.2 voltage
V(n001): 0.75 voltage
Id(M2): 0.000221272 device_current
Ig(M2): 0 device_current
Ib(M2): -7.6e-013 device_current
Is(M2): -0.000221272 device_current
I(V2): -0.000221272 device_current
I(V1): 0 device_current
是220u啊，只不过模型有点不同
负载什么的呢?
请问你衬底接的gnd吗?
恩，一个nmos ，两个电源，衬底、源都接地，就没必要附图了，太卡，重新画的，生成的网表
* D:\LTspiceIV\Draft3.asc
M1 N001 N002 0 0 N_1u l=1u w=22u
V1 N002 0 1.2
V2 N001 0 0.75
.model NMOS NMOS
.model PMOS PMOS
.lib D:\LTspiceIV\lib\cmp\standard.mos
.lib cmosedu_models.txt
.op
.backanno
.end
谢谢楼上 请问
这个管子的s端电压比较高 １.２V 会不会是体效应的 导致Vth的升高 所以电流变小的?
没听明白，如果s=1.2,g=2.4,d=1.95,b=gnd 的话
--- Operating Point ---
V(d): 1.95 voltage
V(g): 2.4 voltage
V(s): 1.2 voltage
Id(M1): 7.1942e-005 device_current
Ig(M1): 0 device_current
Ib(M1): -3.17e-012 device_current
Is(M1): -7.1942e-005 device_current
I(V3): 0 device_current
I(V2): -7.1942e-005 device_current
I(V1): 7.1942e-005 device_current
衬底接源
--- Operating Point ---
V(d): 1.95 voltage
V(g): 2.4 voltage
V(s): 1.2 voltage
Id(M1): 0.000221272 device_current
Ig(M1): 0 device_current
Ib(M1): -7.6e-013 device_current
Is(M1): -0.000221272 device_current
I(V3): 0 device_current
I(V2): -0.000221272 device_current
I(V1): 0.000221272 device_current
Id(M1): 7.1942e-005 device_current
d(M1): 0.000221272 device_current
71uA 和 221uA
hanjingyu2009
我用的 是spectre 你用是什么工具?
ltspice 免费的
spectre也一样，就是设置有点不同。结果一样的吧。
当然我不了解你的具体情况
哈哈 哈哈
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