1/f噪声 的两种模型
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spice 中 1/f 噪声有两种模型，一种用kf，ef，af等参数表示，另外一种用noia，noib，noic 等表示。请问那一种的模型精确。我用代工厂的工艺，里面的低压管子的1/f用第一种模型，12V的高压管用第二种模型。基准电路中的PMOS管用低压管时，仿真出来的噪声，比用高压PMOS管仿真出来 的噪声要高的多。我本意为低压管的1/f 要比高压的1/f 噪声低，但是事实相反。不知道是模型的问题，还是事实就是这样?给位能否给点意见?
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