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请教大牛们关于LC-VCO的一个问题

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我在设计VCO时,把控制电压接在MOS变容管的正极以及负极这两种情况下,相位噪声相差很大,这两种情况振荡频率相同,请问这是什么原因引起的?

同问中

Vctrl应当接负极,负极会couple substrate的noise.



    PMOS变容管一端是G,一端是SDB,性质完全不一样,一般把栅接输出节点吧~

首先,做工程的人,相差很大到底是多大请说清楚。
说个思路自己去找答案吧,正接和反接的电容调节曲线是不一样的,所以先把两种情况下的KVCO仿真出来,在仿真一下相位噪声,对比一下noise summary,不出意外应该电流源和电源来的噪声比例增加了。具体为什么看看书吧

一般SDB接Vctrl,如果varactor是NMOS in Nwell 结构,这个Nwell对称底会有很大的寄生电容,如果SDB接到VCO 输出端,这个寄生电容会影响tank,但是如果SDB接到Vctrl,VCtrl是DC,这个寄生电容不会影响Vctrl,也不会影响Tank。

支持。下来看看。

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