请教一个关于噪声的问题
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在拉扎维噪声章节中，有一个辅助定理：就是一个NMOS的单级共源放大器，source 端接一个RS电阻，结论是不管RS多大，输入等效噪声Vn=In/gm, In是沟道热噪声。
看完他的证明，考虑了很久，还是觉得应该是Vn=In/Gm, Gm=gm/(1+gm*RS)
他证明的依据是：两个电路流过负载RD的噪声电流相等。
我证明的依据是：两个电路受控噪声电流In应该相等。
还是不理解他的道理何在，希望高手指点一下，拨开迷雾，谢谢！
看完他的证明，考虑了很久，还是觉得应该是Vn=In/Gm, Gm=gm/(1+gm*RS)
他证明的依据是：两个电路流过负载RD的噪声电流相等。
我证明的依据是：两个电路受控噪声电流In应该相等。
还是不理解他的道理何在，希望高手指点一下，拨开迷雾，谢谢！
如果你要等效沟道和Rs的噪声，那你算法是对的，当然In还要包含Rs的噪声
但他那个是MOS沟道对输入的等效，自然比例是mos的跨导，而不是对整个输出的
开始我也是和你同样的想法，但后来还是觉得拉扎维的更有道理。
我们考虑输出端的噪声电流时，都是将输出端短路，此时该带有源极负反馈电阻的电路的输出噪声电流为In/(1+gm*Rs).如果等效到输入端的噪声电压的话有Vn*Gm与上式相等，即得In=Vn*gm
个人看法，仅供参考
小编式子 Vn=In/Gm，Gm=gm/(1+gm*RS)出错了，楼上是对的，因为此时In并不是Gm产生的输出噪声电流，它两端不是接在VOUT和地之间，只是接到了NMOS的源漏两端。
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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