关于饱和速度
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各位大侠 下面是某工艺厂提供的lib
* mobility parameters
*
+vsat = 7.0000000e+04 pvsat = -7.4653420e-10
为什么电子的迁移饱和速度比空穴的速度大这么?空穴的饱和速度也太慢了吧?这正确么?
求解释
上边的是NMOS中的，我刚才看了下PMOS 的
是这样的
+vsat = 9.8612340e+04 lvsat = -5.0000000e-03 pvsat = 3.5000000e-09
我想这个pvsat不是空穴的饱和速度，但是是什么呢?我在hspice 参考手册中 找不到这个pvsat?
没人理 是不是问题太简单了
现在实用的模型参数很复杂，不能望文生义，教科书书上讲的是简单模型的参数，就算和foundry提供的模型中的参数名字一样，实际意义已经不一样了。
要在Hspice manual里查的话，要看这是个什么模型，如果是BISM的话，还要看是level 几的，真找不到的话，可以再去看专门讲模型的书。
这个值取来用用
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