如何降低MOS可变电容对VCO的相噪影响
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在设计一个经典的VCO，相噪性能总是上不去。经分析，可能是MOS可变电容的Flicker噪声影响整个VCO的相噪。各位有什么办法降低MOS可变电容对VCO的相噪影响吗?
你怎么分析出来的是MOS可变电容的Flicker噪声影响?
1、同样的结构，用PN可变电容结替代MOS可变电容，相噪好很多；
2、在池保勇的书中看到可变电容的flicker噪声对VCO相噪是有影响的。
因此推测采用MOS可变电容的VCO相噪性能变差是MOS可变电容上的Fliker噪声引起的。
你先去看看noise summary,看看到底是哪个贡献的比较大
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