高带宽，大摆幅，小电阻负载可行性分析求助

路过的各位大侠请帮忙分析下，基于CMOS工艺设计如下SPEC是否有可行性，有无架构推荐呢^_^
具体指标如下所示：
工艺：CMOS
负载：50 OHm，1pF
单端输出幅度：2.5Vpp
电源电压：3-3.3-3.6V
增益：12dB+-0.1dB（100MHz范围内）
-3dB带宽：大于200MHz
THD：45dB@60MHz
功耗，面积暂无要求。
谢谢。

你要做啥?

就用classAB 输出级就好了，输出电阻可以做到很小，1-2欧姆。

做一个固定增益的Driver

Class AB 前一级如何驱动，如果做到高带宽呢，还请指教，谢谢

ClassAB的偏置是设计classAB本身就需要解决的问题。至于高带宽，只能用gm驱动交流等效阻抗不太大的负载来实现，那么就可以实现高带宽。应该不难吧。

有源级跟随 负责diode负载驱动最后一级，目前评估的结果是最后一级的栅寄生电阻有几十pF，那么导致前一级的节点阻抗要至少小于100 Ohm，而这又会导致源跟随要做得比较大，寄生有上来了。
    不知道您是有能画一个大致结构图上来呢?谢谢

我很多年前做过一个ClassAB输出, 输出阻抗控制在10欧姆以下.   

谢谢啦，我先研究研究先，
冒昧问下，前辈在那高就呢^_^

    我要是敢自认是前辈那一定是在冒充.

谢谢啦，在class AB这方面，您肯定是我的前辈呢^_^

小电阻负载肯定得用class AB结构了，这个specs咋一看不算太难

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