D类功放中,如何避免栅驱动器中较大穿通电流？
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如果做classD类功放,为了避免输出驱动管的较大穿通电流,会人为引入死区时间,但又因为驱动管的栅极电容较大,需要
逐级的CMOS反相器来驱动,即栅驱动器,那栅驱动器的穿通电流很大怎么办,有125mA?如何避免?
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