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请大家帮忙做一个倍频电路

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请大家想想在tsmc65nm CMOS工艺上,如何设计一个6.25G到12.5G的倍频电路,占空比能保证在45%到55%。
     谢谢大家了!

做个pll

只是倍频的话,好像除了用PLL,还有别的电路结构1!IEEE paper上有的,做RF的人估计比较熟悉

你这么高的频率,得用Gilbert Cellgoogle: frequency doubler



    谢谢,做pll代价太高,而且我只是做在半速SERDES中,用于产生Preemphasis信号用的。

输入是什么条件,是差分输入还是单个输入?输入的占空比是多少?不过你这么高的频率,一般的逻辑的方法不好弄,注入锁定不知道可不可以?



    能帮忙介绍接片注入锁定的资料吗?
    输入是差分,单端都可以,VCO的输出,占空比应该可以做到49%以上。

你这是做什么serdes,速度这么高?thunderbolt还是PCIE 3.0?



    我知道的注入锁定的基本上都是分频的,你自己去网上找找吧。不过我知道电流源的漏极不就是两倍频么?



     谢谢你啊。源极的输出的确是倍频的,可以认为是差分信号的能量检测电路,I-V平方率关系决定的,但在1V的电源下做这个检测电路,幅度偏低,不是那么容易做的,另外需要做一个DCC电路,版图面积会很大,开销比较大。



    一个通用SERDES的MPW项目,还没有使用到某种产品上。



    除了pll,那就只能从高次谐波里面找了,那样应该更麻烦的吧,搞微波的应该有办法
    pll可能功耗面积大点,但用着熟啊,你给的标准也不高,costdown一下好了

请问lz  有相关资料可以让参考一下吗?  现在也在做相关的内容!谢谢了!

申明:网友回复良莠不齐,仅供参考。如需专业解答,请学习本站推出的微波射频专业培训课程

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