打算采用BCD工艺做一款激光引信芯片,大家能否帮我看下能否实现
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这款芯片主要是用在激光引信方面。
紫光/近红外双波长激光复合近炸引信探测系统的工作原理如下:系统由控制电路控制信号处理电路工作,信号处理电路依据设定的规则,启动和控制
功率电路工作,功率电路驱动各电路系统工作,在驱动电路的驱动下,紫光/红外复合激光器依据设定的规则完成激光发射,该发射激光通过共口径发射光学系统将激光功率发射到周围空间中去,遇到目标或烟雾等时,目标或烟雾散射回的激光信号通过共口径接收光学系统接收,将光信号传递到紫光/近红外复合探测器上,紫外/近红外复合探测器的输出信号由信号预处理电路处理后,分别送给自己的目标识别和抗干扰电路进行进一步的处理,最后由信号处理电路进行目标和干扰综合识别,识别后信号由控制电路进行最终处理,完成紫外/近红外双波长激光复合近炸探测的整个工作过程。主要包括驱动电路和接收电路两部分。驱动电路主要是实现对紫光激光器和红外激光器的驱动。接收部分采用的是单探测器同时接收两种波长的激光的回波信号,并将两种信号分离。
下面给出原来我们在PCB板上设计的系统架构图。依次为系统整体架构,驱动电路,接收电路。(给出在附件中)


本人对芯片设计属于菜鸟级别,大家能否帮我看看,主要有以下几点疑问。 1、系统整体架构是否有问题? 2、驱动电路中的7555,做成芯片时我打算用环路振荡器实现是否可行?能否推荐 3、驱动电路中的第一组施密特触发器主主要作用是整形,第二组施密特触发器作用是增强对最后的VMOS管的驱动能力,两组施密特触发器能否简化?如何设计? 4、原本用于驱动激光器的VMOS管(电源电压高达27V)如果用芯片实现其功能时,能否用LDMOS管代替? 5、能否推荐一些接收电路设计中模块的典型设计的文献,比如毫伏比较器、单稳态触发器等等? 第一次发帖,鸭梨很大,如有错误,各位多多包涵。如愿意指导,小弟QQ411736546,不胜感激。
紫光/近红外双波长激光复合近炸引信探测系统的工作原理如下:系统由控制电路控制信号处理电路工作,信号处理电路依据设定的规则,启动和控制
功率电路工作,功率电路驱动各电路系统工作,在驱动电路的驱动下,紫光/红外复合激光器依据设定的规则完成激光发射,该发射激光通过共口径发射光学系统将激光功率发射到周围空间中去,遇到目标或烟雾等时,目标或烟雾散射回的激光信号通过共口径接收光学系统接收,将光信号传递到紫光/近红外复合探测器上,紫外/近红外复合探测器的输出信号由信号预处理电路处理后,分别送给自己的目标识别和抗干扰电路进行进一步的处理,最后由信号处理电路进行目标和干扰综合识别,识别后信号由控制电路进行最终处理,完成紫外/近红外双波长激光复合近炸探测的整个工作过程。主要包括驱动电路和接收电路两部分。驱动电路主要是实现对紫光激光器和红外激光器的驱动。接收部分采用的是单探测器同时接收两种波长的激光的回波信号,并将两种信号分离。
下面给出原来我们在PCB板上设计的系统架构图。依次为系统整体架构,驱动电路,接收电路。(给出在附件中)
驱动电路主要包括:
1、7555振荡器:主要用以产生频率为10K的方波;
2、tps2813:主要包括一个正向和一个反向的施密特端口,用以产生两个方向相反的方波信号;
3、微分电路1和微分电路2:主要包括一些电阻和电容,用以产生尖脉冲;
4、tps2812:用以增大电路驱动能力;
5:IRF7452:VMOS管,用以实现激光器驱动;
接收电路主要包括:
1、毫伏比较器LM311:毫伏比较器将探测器接收到的信号与100mV直流电压相比较,如果接收到的信号高于100mV,则判定为有用信号,否则判定为噪声。
2、单稳态触发器:可以用7555搭建而成,主要用以产生同步信号相关的分时窗口;


本人对芯片设计属于菜鸟级别,大家能否帮我看看,主要有以下几点疑问。 1、系统整体架构是否有问题? 2、驱动电路中的7555,做成芯片时我打算用环路振荡器实现是否可行?能否推荐 3、驱动电路中的第一组施密特触发器主主要作用是整形,第二组施密特触发器作用是增强对最后的VMOS管的驱动能力,两组施密特触发器能否简化?如何设计? 4、原本用于驱动激光器的VMOS管(电源电压高达27V)如果用芯片实现其功能时,能否用LDMOS管代替? 5、能否推荐一些接收电路设计中模块的典型设计的文献,比如毫伏比较器、单稳态触发器等等? 第一次发帖,鸭梨很大,如有错误,各位多多包涵。如愿意指导,小弟QQ411736546,不胜感激。
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