MOS 电容用法讨论

MOS CAP是可以用在 积累区的

mos cap 积累区什么意思啊?还有mos cap 的使用有什么技巧吗?它跟金属电容的使用差别是什么?求教啊！

      是可以用在积累区，我们已经tape-out验证。
      只是想知道，在积累区与强反型区，有什么不一样的寄生参数(比如寄生电阻值的差别)。

MOS电容一般得工作在积累区才行，这样稳定。  
如果工作在耗尽区或者弱反型区，电容值难以控制，会比积累区小很多。
如果工作在强反型区，电容值在高频或者低频条件下是不一样的，低频情况下跟积累区差不多，略小。高频情况下会小很多。 我做工艺的，不知道设计上会不会有高低频的情况。
另外，工作在强反型区，电容可能会比积累区小一些，小多少应该取决于所加电压。这是由于poly depletion的影响，相当于又串联一电容。
FYI.

高频使用一般在 积累区。普通滤波可以使用在反型区

      谢谢你详细的回复.
      从你的回复中,我了解到了: 两种差别主要是高低频的应用差别,和压差与电容大小的函数关系..
     另外想请教, pmos的NWELL电阻一般在什么数量级上(nwell上画了很多contact,是不是电阻会在几十欧姆的量级),会比沟道电阻小很多吗?
     多谢！

    多谢！

你说的是N+电阻吧?  unsilicide n+ 一般几十 ohm/sq;
silicided n+ 一般6,7 ohm/sq.
这些东西工厂提供的PDK文件里一定都有的,你可以去查查看你用的工艺具体是多少.

    查到了，1000欧母左右。

需要注意到MOS电容的大小是和电压相关的，故有大信号的时候，注意对线性度的影响。这和MIM电容比较是个缺点

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