MOS单管饱和区问题

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MOS管在饱和区时，当栅压VGS变化时，整个沟道厚度是均匀变化的吗
比如说，VGS增加，源极附近的沟道和漏极附近的沟道厚度增加一样吗?

不是均匀变化的，漏端的沟道要窄一点。你可以这样理解，以NMOS为例，一般源极和衬底接低电位，当漏极加高电位，漏端PN结反偏电压加大，耗尽区变宽，轻掺杂的称底在靠近漏端处耗尽区变宽，使得沟道变窄。同理，在漏极电压不变时，栅极电压加大，可以等效于衬底电位降低，也就是漏端的PN结反偏电压升高。