二级运放输出端电压的问题
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结构图输入为VDD/2，前仿时输出电压：1.8V， 比VDD/2大不少，是否合理?
后仿时，输出端端电压：316mV，但是其他节点电压都和前仿差不多，这样的话，版图需要改进哪里?
谢谢
你是开环仿真的嘛?如果增益非常大，开环仿出来的电压变化很大
你是开环仿真的嘛?如果增益非常大，开环仿出来的电压变化很大
闭环仿真吧，这个问题我也遇到过，开环仿真的，后仿时可能失调增大导致偏离原有直流工作点，管子无法工作在饱和区，你把环路闭合（用大的电容和电感使之直流环路闭合，交流开路就可以仿真了），然后再在这种环境下仿真幅频相频特性就行了
o 谢谢， 那这样的话，流片出来会不会有问题
现在的情况是只要后仿真没问题，流片结果都是功能可以实现，至于性能就不好说了。
全是NMOS?
也可能失配了。
加了共模反馈了么?
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