关于GF180u工艺的带隙基准问题
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本人用global foundary180工艺做了一个简单的基准，最后得到了1.3v左右的基准电压，感觉有点玄乎，但是曲线又是好的！（运放增益80db，pm 60）不知道各位原先得到的基准大约在什么范围，请各位大神看看是不是有什么问题，谢谢各位哈！
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我大体看了下，运放的失调电压仿真情况下大约为0.1mv，几乎没什么影响。另外运放的启动完全是靠另一个快速电流基准启动和主题电路没有一点关系啊！180nm
基准到1.2V~1.3V都是正常 的
奥 原来如此，我以前有350u工艺很好的为1.21左右 但是180u工艺第一次做基准，所以这次得到1.3v比较拿不准 谢谢哈你用的是GF 0.18 哪个工艺?我们做的怎么还是1.2V?
就是GF180啊 是普通的1p4m工艺 不知您是哪个 ?老兄能否给贴个图 看看你的设计结构！我用的是GF 0.18 HV BCD。 结构和你的差不多。1.2v@25
奥 你的是高压工艺 貌似有点不同 我的是低压工艺申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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