本科生请教一个运差分放大器工艺选择的问题
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今天看到老师的集成电路课件上留了个这个问题：在设计差分放大器时，对于n型衬底P阱工艺，应采用NMOS输入还是PMOS输入?如果是p型衬底N阱工艺呢?印象中好像老师讲过，但自己记不得了，望各位大虾不吝赐教。
对于n型衬底p阱工艺应采用NMOS输入，相反的要采用PMOS输入，这样可以减小阈值电压的变化增加线性度。
呵呵，补充一下，对于n阱工艺，选用P管的另外一个好处就是由于可以源极和体区短接，避免了体区与衬底直接相连，降低了衬底噪声对运放的影响，提高了运放的PSRR。
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