带隙基准的速度问题

就是运放输出电容变大了啊 RC变大

RC变大，不是比较慢了吗?可是书上说的是为了加快瞬态响应，应做大C

讨论的是“二，由于电容Cb通常会减慢运放的瞬态响应”吗?

我没表述好，是电容都会影响瞬态响应，为什么还要大呢，不是C越大，瞬态响应越慢吗?

    做为一个旁路滤波电容，Cb应该较大，才能减慢基准上的瞬态效应，从而稳定基准的输出。

这就是trade off。可以细心体会

    为什么呀?理论上你的旁路电容越大，它不就是跟寄生电容处于并联状态吗?这样不就相当于这点对地的电容变大了很多，瞬态响应不应该变慢吗?

我觉得这好像是表述上的问题。按照6楼的意思，应该可以就将拉闸为的话理解为：为了获得平稳的瞬态响应，加大Cb；而不是为了使瞬态响应更快而加大Cb。我也觉得貌似是这样。期待高人解答。

    LZ是否是想说，寄生电容增加，导致基准的3DB带宽变小，从而导致瞬态相应时间更长，也就变慢了；
    这里，我是这样理解CB的作用；
    CB(电容）有储存电荷的能力，CB越大，存储的电荷越多，当负载从基准上抽取电荷的时候，会造成基准的瞬态变化;如果CB越大，基准电压，在被抽取电荷后，变化得就较小。

    CB电容大，确实会使运放的瞬态响应变慢，因为RC常数变大了。但是CB大，就像你说的，Vp的电压变化不会很大，因此对bandgap的影响不大，因此综合考虑，还是要大的。是不是这样?

学习，学习。

我的理解:如果phase margin（PM）小于60度，加大电容可以提高PM，电路启动时可以减小过冲，减小阻尼振荡的时间。但如果继续加大电容，PM过高，则电路启动又会变慢的。

稳压。

我是这么理解的，CB大了，BG在第一次启动的时候到达稳定的时间确实长了，但是BG的目的是输出稳压，CB比较大的时候，可以使P点的值变话很小。使输出的变化不是那么大。

好问题。

好像讲的是抗扰动的能力。CB大，对于同样的扰动，p点电压变化小，恢复起来会相对快一些。如果是阶跃响应则是相反的，CB越大p点建立稳定电压所需时间也越长，换句话说，响应越慢。

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