请教------电流镜的电流复制比例
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疑问：
请问增大MOS电流镜的电流复制比例有何利弊?
1. 好处是啥?
2. 弊端是啥?
诚请指点。谢谢！
据此，对电流镜的处理如下：（假设电流镜用于给OTA提供偏置）增大电流复制比例。
好处：减小功耗；弊端：噪声变大；解决对策：在输入管和输出管的Vgs相应节点并联去耦电容旁路高频噪声。
c. 不太理解linearity方面的内容。
希望hezudao大哥稍稍提示一下，谢谢。
请问增大MOS电流镜的电流复制比例有何利弊?
1. 好处是啥?
2. 弊端是啥?
诚请指点。谢谢！
看你怎么用了，没有绝对的好坏。不过太大了确实精度会变差
从matching noise linearity三个方面琢磨琢磨你就明白了。
1. 诚挚感谢mercybucher和hezudao的回复；
2. 疑问
a. matching比较直观，稍好理解。
b. noise方面，有见过Berkeley_EE240_Lecture相关内容：
据此，对电流镜的处理如下：（假设电流镜用于给OTA提供偏置）增大电流复制比例。
好处：减小功耗；弊端：噪声变大；解决对策：在输入管和输出管的Vgs相应节点并联去耦电容旁路高频噪声。
c. 不太理解linearity方面的内容。
希望hezudao大哥稍稍提示一下，谢谢。
个人理解，楼上说的线性度应该是指支路Vds的偏差对电流复制比例精度的影响吧。
精度可以到1%吗
随便看看，坐等大牛给解释
Gate leakage will be a problem if the reference is too small, especially in 65nm or lower
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