關于擊穿電壓
录入：edatop.com 阅读：
各位大俠，foundry提供的EDR中有關于BVds and BVGTPWa兩個指標，應該是junction and tox擊穿電壓，但我想知道是如何連接測試的?
不知道你指的是什么测试啊
一般这两个参数知道就好， 应用的时候注意不要超过其值就OK
BVGPW (LV, A=7000um^2, @10mA/cm^2) -- -- -1 V
for nmos
BVGNW (LV, A=70000um^2, @10mA/cm^2) 1 -- -- V
for pmos
應該是柵氧擊穿電壓，但究竟該如何理解呢?
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：如何测输出脉冲信号的宽度
下一篇：比较器的分辨率为8bit是什么意思
