求助：MOS SPICE模型里面，决定漏源击穿电压的参数是哪个？
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在现有的level=49的spice mos model的基础上，想稍修改一下；使之作为高压mos用，该hvmos只做开关管用，对精度要求不高，
但是要大幅提高漏源间的击穿电压，在众多参数里不知如何下手，请教大家多多指点！
在现有的level=49的spice mos model的基础上，想稍修改一下；使之作为高压mos用，该hvmos只做开关管用，对精度要求不高，
但是要大幅提高漏源间的击穿电压，在众多参数里不知如何下手，请教大家多多指点！
你好，我是个初初级的菜鸟，您的问题偶然看到，请问您已经知道结果了吗? 能不能告诉我一下！ 不胜感激！
你找到吗，可以告诉我吗
同求，谢谢
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
