关于Pierce晶振电路的一个问题

我写过一个matlab代码，是用环路增益根轨迹的办法去求解gm的。那个代码是用在32k晶体振荡器上的，如果想要算高频的晶体振荡器的gm，你就把里面的晶体模型换一下就可以了。
此外，sansen书上有介绍gm的算法，但是sansen介绍的办法没有考虑反馈电阻Rf的影响，所以算出来的gm的范围会大很多，考虑Rf的影响后，和实际gm的范围就会接近很多了。
下面是我曾经发的一个帖子，如果有需要可以联系我QQ575833119，希望对你有帮助。
http://bbs.eetop.cn/thread-363694-1-1.html
上面这个办法是MARK A. UNKRICH的文章“Conditions for Start-Up in Crystal Oscillators”里面介绍的。

为什么回不了贴的?

    谢谢，看看研究一下，这个问题看了两天的资料，也没太弄懂！

    我在论坛中看到在Pierce晶振电路中，有仿真反相器的增益与相位裕度请问仿真这两个参数有什么作用呢?

仿真开环增益和相位裕度的目的是为了看振荡电路是否满足巴克豪森判据，从本质上来说这个办法和根轨迹法一样的。只是我个人觉得用根轨迹法能比较直观的求出最优的gm。

   那用根轨迹法求出反相器的gm值，那反相器的gm是P管的gm还是n管的gm呢

画一下小信号模型就会发现，p管和n管是并联在一起的，所以gm是这两个管子gm之和。

   一般gm范围多大，我用公式算出来从0.2us到2.5ms..

   在2楼的回复里的那个链接中，我里面举了一个实例，计算出来的结果是1.3077 ～ 145.7471 uS，最优gm为32.8927uS。如果是用sansen书上介绍的方法，需要注意加上一个并联的电阻，sansen书上认为那个电阻大到忽略不计，然而这个电阻对gm的取值范围有很大的影响。

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。