一些模拟cmos集成电路的初级问题
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扎拉维cmos集成中的截图 P45
直观怎么解释阻抗变小呢?考虑体效应，阈值电压会增大，同样的Vx，由Id的公式，可知Ix会变小，阻抗应该是变大了才对啊?
直观怎么解释阻抗变小呢?考虑体效应，阈值电压会增大，同样的Vx，由Id的公式，可知Ix会变小，阻抗应该是变大了才对啊?
直观看源级电阻是三个电阻并联：1/gm，ro，1/gmb。 注意：是小信号模型，体效应导致新增加一个电流源。 建议小编仔细理解考虑体效应后的小信号模型，尤其是新增压控电流源的方向
书中说的是考虑体效应和没有考虑体效应之间的小信号阻抗对比，考虑体效应后，MOS管SOURCE端施加同样的小信号电压，引起的小信号电流增加了，所以看到的阻抗减小
3楼是正解，电流增大，所以看进去的电阻就减小了。
难道你们看不出来这种接法，所谓的电流源已经退化成了电阻吗?本来是 1/gm与1/ro并联，现在是三个电阻并联。还所谓正解，搞笑
2楼和3楼说得都对啊，只不过2楼讲得更细。
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
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