低压带隙基准中的放大器
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采用TSMC350nm的工艺，设计基准低电压为850mV，但是仿真结果在tt工艺角下，正常，但是在其他工艺角下仿真，输出为电源电压3.3，发现是放大器在其他工艺角下截止，请问这放大器如何仿真呀?电路的结构如图所示，
，请教各位高手呀！
，请教各位高手呀！
说明你的放大器本身就不够robust。
You didn't size up the devices in right region.
设计太不强壮了
你应该先设计好运放，再放到bandgap里面。
bandgap启动电路是否正常工作?跑瞬态仿真看看，运放要先启动啊，仔细分析一下~
我最近也在弄这个电流模式的vref，起初就存在tran仿真的启动问题，后面，把偏置电流调整了下就ok了，但是，差分对，是工作在亚阈区，你的，是饱和区还是亚阈区呢?
请问有没有这种自偏置放大器的资料呀?
3楼正解，对于这个电路，我认为放大器电路的mos管都应该工作在饱和区，可能你的这个电路偏置部分有问题，仔细看一下器件的工作状态吧．
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