MOS管栅极击穿是开路还是短路？

在检测场效应管时要同德运网友说的那样，栅极G与源极S短接一下，放掉栅极的积累电荷。我一般都是加电和负载测试：12或24 伏直流伏电源加灯泡会或继电器、电线、水，源极S接电源负极，负载（灯泡、继电器，继电器的电压与电源一致）一端接正极，另一端接电线引出接场效应管的漏极D，栅极就悬空，一般第一次加电都会导通，这是，双手的手指沾水打湿一下，一只手摸电源负极，另一只手摸一下栅极，正常N沟道的立马截止关断；摸负极的手拿开，再摸栅极应该导通，不行就一手摸一下电源正极一手摸栅极，要导通，关不断就是短路以报废，P沟道的就反着来实验。 你的表述还不能判断是否损坏，要继续测量，栅极击穿意味短路，不受控就是损坏啦。

    这个MOS管在芯片内,无法按你说的测,而且是当作电容用的.

一般gate 击穿都是伴随大电流现象的。

感觉都是短路，漏电流会增加；对于MOS，栅级都算断路

应该是能测到一个道通电阻

一般是类似于短路，实际上电流过大才烧短路。

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