如下图0.18普通CMOS工艺能不能接13V电压！
录入：edatop.com 阅读：
如图0.18普通CMOS工艺，1、二极管的正极能否接负13v电压，还有接了会不会击穿阱和衬底。2、在负极接13V电压是否可行，会不会使阱和衬底之间击穿。还有如果大神知道接高压会导致其他后果，希望能详细说明，谢谢了！
你这是要做negtive 的ｃｈａｒｇｅ ｐｕｍｐ吗?
你这个图，普通ｃｍｏｓ有NBL? 是哪家的?
第一个问题，要看二极管的类型．
第二个问题，没有ｎｂｌ估计不能做．如果有的话，要看ＦＡＢ的．
工艺中只有1.8V和3.3V的mos管，也有bipolar层：buried layer 。但不知道是我图中想要的NBL层次不。
如果是3.3V的diode,正向接高压即使不被击穿也会影响它的寿命
0.18um的普通工艺diode 危险
应该不可以。你可以查fab文档，13V肯定会击穿
额，那谢谢！
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
上一篇：csmc工艺库中MOS管的ro是那个参数啊？
下一篇：LNA稳定性
