PAD通过很长的金属导线直接连在MOS管栅极上要注意什么
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请教各位前辈：
现在的版图中有这么一个情况：一个PMOS的栅极首先通过一条长2um，宽0.3um的M2连到宽0.3um的M6上，然后走了1080um长后，用M5断开了一点，再回到M6上，走了80um，然后接到PAD上。接到PAD上就是为了看这个管子的栅压的。（电路就是PLL中VCO的控制电压，要拉到片外测试看的就是这个控制电压）
工艺是SMIC 0.13。
这么走线应该有很大问题吧?天线效应?ESD?等等。依各位的经验，应该怎么修改呢?
谢谢！
现在的版图中有这么一个情况：一个PMOS的栅极首先通过一条长2um，宽0.3um的M2连到宽0.3um的M6上，然后走了1080um长后，用M5断开了一点，再回到M6上，走了80um，然后接到PAD上。接到PAD上就是为了看这个管子的栅压的。（电路就是PLL中VCO的控制电压，要拉到片外测试看的就是这个控制电压）
工艺是SMIC 0.13。
这么走线应该有很大问题吧?天线效应?ESD?等等。依各位的经验，应该怎么修改呢?
谢谢！
antenna rule
if it is just an analog test signal, you can use analog mux/switch to break this line.
if you don't break vctrl line off VCO, this line could pick up some noise.
谢谢回复！
可否说的详细些?
天线效应。
谢谢回复！
见过EN PAD直接用500um的细长金属直接连到gate的，当然，这中间还有8、9个接触孔，这些和金属和接触孔加起来应该也有一定的电阻
二楼意思应该是加mos开关隔开，直接出去可能有干扰
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
