Pmos管衬底接地！？火急！
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如图所示，分析确认左上角及下方管子为p管，中间为mos电容，周围内环（没有封口，为何?也没有从这边走线）、外环通过第一层金属直接连在一起接地了！个人认为内环应该是接阱的，但是为什么接地了呢！ 中间再也找不出p管的衬底从哪里引出接高电位了。可能情况有：
1. 接地，从没见过。
2.悬空，n阱悬浮
3. 里面都是n管...电路功能不对。
这电路是RFID天线整流部分的电路，研究过电荷泵的应该都知道 高低电位是不断变化的，也就是说在每一级中不存在高低电位，衬底接法比较纠结，希望有经验的大虾指点啊！
没有人懂么！~
衬底接法比较纠结，希望有经验的大虾指点啊......
接去最终稳态时的最高电压，在刚开始start up时衬底接地电位是允许的，但是设计时要考虑latch up的问题。
"分析确认左上角及下方管子为p管，中间为mos电容"
我想知道这是怎么确认的
没细看你的电路和问题，只能告诉你有的工艺的管子衬底是可以悬浮的 也就是floating的。
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