关于栅源电压与漏源电压对夹断区宽度的影响的问题
录入：edatop.com 阅读：
《模拟电路版图的艺术》一书中第126页提到：“高栅源电压增大漏极电流，加宽夹断区宽度”，是否存在错误?是不是应该是高漏源电压才对?高栅源电压能做到加宽夹断区的宽度吗?
我是来看头像和签名的~
谢谢，我明白了，书上的这句话是没有错误的。
以在饱和区的NMOS管为例，当栅源电压不是很高的时候，沟道内与栅极电压相等的那点（假设是G点）接近源端，因此夹断区很宽。随着栅源电压升高，G点往漏端移，夹断区随之变窄；当栅源电压升高到一定程度，漏电流增大到使在沟道内的电阻产生的电压不可忽略的时候，G点反而向源端偏移，夹断区就会变宽。不过后一步夹断区的变化应该是没有前一步夹断区变化明显。
二楼，你看她一眼她就明白了。神啊~
申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。
