场氧和栅氧的介电常数分别是多少？
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应该不一样吧?
应该一样吧，都是SiO2
显然不一样
我觉得对于老工艺差不多吧 0.5um以上
新工艺STI 就有区别
氧化层击穿电压很高，氧化层介电常数一般不很重要
愿闻其详……
显然不一样。尺寸小点的工艺，栅氧是SiN材料。就算都是SiO2，湿法和干法获得的氧化层致密性不一样，介电常数也不一样。
现在process中都不是单纯用SiO2的，需要用到氮氧化硅的各种介质层
还有一点就是现在有high-K, low-K 工艺，
gate 用high-k，使其物理厚度增大，等效栅氧减小
上层metal的isolation 用low-k，使得寄生电容减小
需要detail information 去查 foundry的document
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