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基于主方程法单电子晶体管的建模及其电路仿真的研究
- 1.1 课题研究的学术背景8-9
- 1.2 单电子技术的发展简史和研究现状9-10
- 1.3 论文主要工作及结构安排10-12
- 2 单电子理论及数值模拟的基本方法12-21
- 2.1 单电子理论12-15
- 2.1.1 单电子隧穿效应和库仑阻塞效应12-13
- 2.1.2 正统理论和单电子隧穿率13-15
- 2.1.3 观测单电子效应的必要条件15
- 2.2 单电子系统数值模拟的基本方法15-19
- 2.2.1 现有的单电子系统模拟器15-16
- 2.2.2 主方程法16-19
- 2.2.3 蒙特卡罗法19
- 2.3 本文对模拟方法选择的考虑19-21
- 3 基于主方程法单电子晶体管的HSPICE模型21-44
- 3.1 单电子晶体管主方程法建模21-30
- 3.1.1 单电子晶体管主方程模型的建立21-24
- 3.1.2 主方程模型的求解24-28
- 3.1.3 单电子晶体管的简化电导模型28-30
- 3.2 单电子晶体管CMI模型30-36
- 3.2.1 HSPICE的CMI功能概述30-31
- 3.2.2 单电子晶体管CMI模型的建立31-35
- 3.2.3 单电子晶体管CMI模型的相关说明35-36
- 3.3 CMI模型的验证与SET特性模拟36-43
- 3.3.1 CMI模型的验证36-39
- 3.3.2 SET的特性仿真39-43
- 3.4 本章小结43-44
- 4 基于主方程法单电子晶体管的Verilog-A模型44-54
- 4.1 单电子晶体管的Verilog-A模型44-47
- 4.1.1 verilog-A语言概述44
- 4.1.2 单电子晶体管verilog-A模型的建立44-47
- 4.1.3 模型验证47
- 4.2 单电子晶体管verilog-A模型与Lientschnig模型的对比47-51
- 4.3 Verilog-A模型的扩展51-53
- 4.4 本章小结53-54
- 5 单电子晶体管电路的设计与仿真研究54-70
- 5.1 单电子晶体管二进制全加器电路54-62
- 5.1.1 基于互补逻辑的单电子晶体管全加器54-56
- 5.1.2 基于择多逻辑的单电子全加器56-58
- 5.1.3 基于传输管逻辑的单电子全加器58-61
- 5.1.4 三种单电子全加器的比较61-62
- 5.2 单电子晶体管AD转换电路62-66
- 5.2.1 SET AD转换电路的基本单元62-64
- 5.2.2 SET AD转换电路的实现与仿真64-66
- 5.3 SET/MOS混合DA转换电路66-69
- 5.3.1 SET/MOS基本混合单元66-68
- 5.3.2 SET/MOS DA转换电路68-69
- 5.4 本章小结69-70
- 6 结论70-71
=> 好像是用 verilogA 做的 ..
thank you ..
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