LDO架构

2.7V启动工作倒是可以，但是20V的电源电压也太高了，mos管都击穿了

BCD可以

    能不能给个基本方案看看啊?BGR和LDO的管子都要能耐高压，栅压不能超过5V，而且要低电压启动，想不出来啊。

20V LDMOS +pre ldo，但Vgs有风险

BCD 工艺 要2.7V启动有点难得，一般器件Vth都要接近1V了，3.5V以上启动，BGR和LDO都好做一些

不是栅压不超过5V吧，一般是Vgs不超过5V，你直接用高压管做没问题的啊，重点是2.7V你的高压BG要能起来就没问题了

   现在的市面上的输入电压范围在3~20V的LDO，一般用的工艺是啥啊?现在有个case，LDO的输入要在2.7V~15V能够正常工作，不晓得用0.35um bcd vgs=5V的工艺能否做出来啊。现在完全没有底，头大啊。

用什么工艺做的都有。

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