bandgap中Vbe的要求

Razavi的《Design of analog cmos integrated circuit》一书中bandgap, Vbe的温度系数与Vbe本身的大小相关，那么设计Bandgap时Vbe的电压一般设计在多少伏呢?Ie一般为多少uA呢?谢谢指教！

VBE大小与流过其的电流大小有关
电流大小会影响bipolar的beta大小，一般bandgap中的bipolar都是寄生的，所以beta值比较小
一般选择电流可以参考，你的model中beta vs Ie cureve，应该避免beta随Ie剧烈变化的情况
应该选择beta大小不怎么随Ie变化的那段
请参看 gray 的书籍 第四版中page25 page26 的
figure1.15 和figure1.16两张图

gooooooooooooooooood

谢谢2楼

感谢！

谢谢2搂滴~

2楼强，BGR中偏置在BJT上面的电流都很小，选择余地并不大。

个人认为几UA~十几UA差不多，I VS V 比较陡的区域就可以，希望指教。

mark！

big than uA scope is ok

nicer

申明：网友回复良莠不齐，仅供参考。如需专业解答，请学习本站推出的微波射频专业培训课程。