在实际应用中如何判断一个器件模型的好坏
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本人新手,所以对这个问题感到疑惑。如何判断一个MOSFET模型的好坏?如何去分析一个较为成熟的模型,比如pspice模型库里面的nec_mos等?还望大神不吝赐教。万分感谢。
为什么没有大神愿意指点一下?自己顶
仿真去看呀。
谢谢 我知道是从仿真去看,我的意思是仿真结果也需要分析。应该从哪几个方面去评价呢?假设现在又一个NMOS模型,但是不知道是不是正确的模型,我需要怎么去评价它好还是不好呢?还望解答一二,谢谢。
简单说能否满足你的要求。
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