关于单nwell工艺中nmos wpe 问题
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在看foudry的design rule时，对于pmos的 wpe讲的很清楚，sc就是指nwell 到pmos扩散区的距离。
但是对于该工艺中的nmos来讲，sc还是指nwell到nmos扩散区的距离吗?
但是对于该工艺中的nmos来讲，sc还是指nwell到nmos扩散区的距离吗?
什么工艺?如果不做pwell就没有wpe
但是一般0.18um以后都是双井工艺
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